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元件参数资料
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参数目录43841
> STI6N62K3 MOSFET N-CH 620V 5.5A I2PAK
型号:
STI6N62K3
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
STMicroelectronics
描述:
MOSFET N-CH 620V 5.5A I2PAK
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
STI6N62K3 PDF
其它有关文件
STI6N62K3 View All Specifications
标准包装
50
系列
SuperMESH3™
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
标准
漏极至源极电压(Vdss)
620V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
5.5A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
1.2 欧姆 @ 2.8A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
4.5V @ 50µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
34nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
875pF @ 50V
功率 - 最大
90W
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
供应商设备封装
I2PAK
包装
管件
其它名称
497-12265
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